Eletrodos de difusão gasosa contendo semicondutores para redução fotoeletrocatalítica de CO2
Eventos climáticos como aquecimento global, vem se tornando pauta recorrente nos debates científicos. Segundo informações do quinto relatório do IPCC, índices de CO2 e demais gases de efeito estufa alcançaram valores recordes no último século. Dentre os principais agentes, o CO2. Esforços vêm sendo...
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| Format: | Online |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
Universidade Estadual de Campinas
2018
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| Subjects: | |
| Online Access: | https://econtents.sbu.unicamp.br/eventos/index.php/pibic/article/view/102 |
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| Summary: | Eventos climáticos como aquecimento global, vem se tornando pauta recorrente nos debates científicos. Segundo informações do quinto relatório do IPCC, índices de CO2 e demais gases de efeito estufa alcançaram valores recordes no último século. Dentre os principais agentes, o CO2. Esforços vêm sendo tomados para mediar seus efeitos, como: conversão biológica, catálise heterogênea e redução fotoquímica ou eletroquímica. A conversão fotoeletroquímica visa produtos de maior valor agregado, como metano, metanol, ácido fórmico dentre outros. Quando tais compostos são fotocatalisados pela energia solar,recebem o nome de solar fuels(do inglês, combustíveis solares). Considerando a fotocatálise, aplicou-se eletrodos de difusão gasosa (EDG) com o fim da fotoredução de CO2. Foram realizadas caracterizações eletroquímicas, via cronoamperometria e voltametria cíclica, do eletrodo modificado com semicondutor AgBiW-ox e não modificado, e também análises com radiação incidente (claro) e na ausência da mesma (escuro). Para as avaliações eletroquímicas aplicadas até o momento,observou-se fotocorrente associada ao eletrodo resultante modificado, onde sua corrente catódica foi influenciada pela situação de claro, como esperado. A fotocorrente obtida (~5uA/cm²) é considerada satisfatória dada a fonte de irradiação empregada. A princípio, a associação pode ser considerado um fotocatodo promissor. Destaca-se também a boa adesão do semicondutor ao EDG,mesmo após caracterização em cela. |
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| ISSN: | 2596-1969 |
