Transientes ultra-rápidos de transporte no nitreto de gálio
Utilizando uma Teoria Cinética Quântica Não Linear, obtida a partir de uma formulação mecânico-estatística, o Método do Operador Estatástico de Não Equilíbrio na forma de Zubarev, obtêm-se as equaçõees que governam a evolução do estado de não equilíbrio de um semicondutor polar intrínseco de gap dir...
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| Main Authors: | , , |
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| Format: | Online |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
Universidade Estadual de Campinas
2020
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| Subjects: | |
| Online Access: | https://econtents.sbu.unicamp.br/inpec/index.php/physicae/article/view/13475 |
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| Summary: | Utilizando uma Teoria Cinética Quântica Não Linear, obtida a partir de uma formulação mecânico-estatística, o Método do Operador Estatástico de Não Equilíbrio na forma de Zubarev, obtêm-se as equaçõees que governam a evolução do estado de não equilíbrio de um semicondutor polar intrínseco de gap direto altamente fotoexcitado (plasma fotoinjetado) submetido a um campo elétrico constante. Particularmente, o semicondutor analisado foi o Nitreto de Gálio na forma zincblende. São obtidas as equações de evolução temporal para: o momento dos portadores, para a energia dos portadores, a energia dos fônons ópticos longitudinais e transversais. |
|---|---|
| ISSN: | 1679-9569 |
